-->


¿Qué es la tecnología de fabricación FinFET?

La tecnología FinFET, se encuentra presente en las SSDs y los procesadores; así que es demasiado probable que tengas varios dispositivos con esta tecnología y aún no lo sepas. Es la razón por la que te enseñaremos de que se trata.

Para la manufactura de procesadores, Intel fue pionero en hacer uso de esta tecnología. FinFET es una tecnología que todos utilizan, solo que no saben en dónde, cómo, ni porqué.

¿Qué es la tecnología de fabricación FinFET?

Debemos comenzar porque, su nombre es la abreviatura de Fin Field Effect Transistor; lo que en español es Transistor de efecto de campo aleta. Este transistor es construido de un sustrato de aislante de silicona y se compone de una fuente, contacto de engranaje, y un controlador del paso de corriente. Tienen una particular disimilitud con los MOSFET; puesto que este tiene una barra 3D ubicada sobre el sustrato de silicio.

Dentro de los procesadores Ivy Bridge en el año 2012, Intel hizo las primeras incorporaciones de esta estructura; cuya construcción, consta de los siguiente.

1. Sustrato: Se encuentra en la base de toda la estructura y está protegido por una capa dura.

2. Aletas: Lo más importante que podemos encontrar en esta parte, se trata de las medidas; pues para un proceso de 22 nm, el ancho de las aletas directamente proporcional es de 10 o 15 nm.

3. Deposición de óxido: Con esta deposición logramos que se aíslen las aletas.

4. Planarización: Para el momento en que el óxido está plano así que la planarización es la capa que actúa entre las dos partes.

5. Grabado en hueco: Para terminar la separación de las aletas, se requiere otro proceso de grabado.

6. Instalación de la puerta: Se adiciona una capa de polisilicio para hacer la envoltura de hasta tres puestas en el mismo canal.

Cada uno de estos transistores, está elaborado con dos compuertas y dos aletas, un lugar donde el canal tiene control, pero falta de espacio; en caso de reducir las compuertas, se adelgazaría el espacio de las aletas. Para tener la posibilidad de permitir más volumen las aletas componen la fuente y el drenaje, así se ofrece más que en un transistor tradicional. 

Encontraríamos de por si un problema en el momento en que se requiera un proceso litográfico un poco más pequeño, que hasta el momento es un objetivo por alcanzar de parte de AMD para conseguir más rendimiento y eficiencia. Es de aclarar que la litografía dicta los transistores caben dentro de un milímetro cuadrado. Sí, un transistor se prende y se apaga, pero el proceso de las compuertas tiene dimensiones complejas para cortar el paso de corriente.

La longitud de la compuerta es la clave del transistor

La regla que se dicta en la fabricación es esta "a menor longitud, mayor precisión de control de corriente y así más transistores dentro del metro cuadrado", se trata de una relación directamente proporcional para no abusar de ella, así no afectamos su rendimiento.

Con esta fórmula, se creó el pitch to shrink la solución que los fabricantes adoptaron para realizar una mejora en los transistores; de hecho, Intel lo adjudicó en sus últimos procesadores. Gracias a esta mejora el 14nm++ tuvo lugar, y en ello también salió la conclusión que, según la TSMC, la longitud mínima es de 25nm, de lo contrario el rendimiento empeora.

Para la producción de esta tecnología, se hace una fundamentación en la Ley Moore permitiendo a los fabricantes, la innovación de procesadores y módulos de memoria con las siguientes características:

- Más pequeños

- Mayor rendimiento

- Menor consumo de energía

El futuro y FinFET

Para los avances de la tecnología, la FinFET comienza a quedar obsoleta, pues presenta ciertas limitaciones para su uso. Consecuente a esto nace la tecnología Nanosheet, donde las aletas se encuentran apiladas de forma vertical; de aquí su nombre nano hojas, haciendo la simulación de un libro. Este nuevo desarrollo tendrá las capas de los sustratos también verticales, permitiendo que nazca el 5nm. Como todo paso precursor, tiene algunos problemas, por ejemplo, el voltaje y el espacio a utilizar.

Puede que esta tecnología no termine por desarrollarse y solo quede sobre papel, pero si estamos seguros de que la memoria HBM2e, nos demostró que el apilamiento vertical es el camino.

 
Full aprendizaje © 2019 -